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贴片电容的识别方法


单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件。

1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C25表示编号为25的电容)。电容是由两片金属膜紧*,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。

电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。

容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率,C表示电容容量)


2、识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。

其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法

字母表示法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF

数字表示法:一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数字是倍率。

如:102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF



3、电容容量误差表符号F G J K L M

允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%

如:一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%。



4、故障特点

在实际维修中,电容器的故障主要表现为:

(1)引脚腐蚀致断的开路故障。

(2)脱焊和虚焊的开路故障。

(3)漏液后造成容量小或开路故障。

(4)漏电、严重漏电和击穿故障。


就三星贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是平尚科技公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。

  NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。                        

电容的主要种类

一NPO电容

  NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

  NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

封 装DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

1210 560---5600pF 560---2700pF

2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容


二X7R电容

  X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

  X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。

  X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。

封 装DC=50V DC=100V

0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF

1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF

1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF

2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF


三Z5U电容

  Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。

尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。

封 装DC=25V DC=50V

0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF

1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF

1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF

2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF

Z5U电容器的其他技术指标如下:

工作温度范围+10℃--- +85℃

温度特性+22% ---- -56%

介质损耗最大4%

四Y5V电容

 Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。

Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。

Y5V电容器的取值范围如下表所示

封 装DC=25V DC=50V

0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF

1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF

1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF

2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF

Y5V电容器的其他技术指标如下:

工作温度范围-30℃--- +85℃

温度特性+22% ---- -82%

介质损耗最大5%

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